一、 双面开小窗孔设计

1.0mm间距BGA区域内过孔全部塞孔，B面的测试点采用SMD方式（封装ICT-SMD25-BTM），封装不采用测试孔，规避抗沉金膜遮蔽空间不够的问题

PCB设计文件中杜绝PTH孔T/B面表面处理不同、同一个亮铜区存在不同表面处理的设计。

所有OSP区域和ENIG区域之间距离要满足16mil。

1.1       钢网层

由于封装情况不同，大部分表贴焊盘的钢网是可以完全覆盖pin的，但也有少部分表贴焊盘的钢网是不规则的图形，封装钢网做在Package-Geometry/Display层。如下图所示，此类情况要保证OSP区域完全覆盖最大裸露信息。

图 1　钢网未完全覆盖pin

1.2       散热过孔

散热焊盘背面一般要求做开窗区域，若散热焊盘上有盘中孔，且背面有开窗的情况，需要做OSP表面处理。

图 2　带盘中孔阻焊区域做OSP表面处理

若无盘中孔，背面虽然有开窗情况，背面的开窗区域两种表面处理都有可能。（此类设计默认采用ENIG表面处理）

图 3　不带盘中孔阻焊区域

二、 特殊设计

比如屏蔽壳器件为通孔回流焊接，正面焊盘包括槽孔都有钢网，槽孔背面没有钢网也没有开窗，两面必须使用同一种表面处理。光口连接器的开窗区域涉及到压接器件引脚是不做OSP表面处理的，结构上指定螺钉孔的开窗区域也是不做OSP表面处理的。若单板上某个区域单独一个区域开窗，开窗区域没有螺钉孔，也没有压接器件引脚等，两种表面处理情况都可以，默认采用ENIG表面处理。

2.1      BGA背面加测试点的操作方式

BGA背面测试点若直接加在BGA通孔上，那通孔在top面的开小窗距离BGA焊盘就不满足16mil的要求。（BGA特指PIN中心距离为1.0mm的BGA封装）

操作方式是加表贴测试点，如下图所示：

图 4　BGA背面加表贴测试点

测试点和同网络过孔相切（相交一点也可以，由于目前工艺没有指定要求，所以目前设计建议都以相切为准），和其他过孔保持4.5mil以上的距离。

在allegro16.3以及16.5中，通过将same net spacing中via项bottom层1.0BGA thru via to test via的间距设置成0mil，就可以把DRC去掉了。

图 5　allegro16.3中Test Via to Thru Via的DRC关闭方式

2.2       结构定位导致区域冲突

下图中蓝色封装布局在背面的一个发光二极管，左右焊盘为表贴焊盘，中间为一个非金属化孔，在正面相同的位置布局一个按键开关，按键开关虽然焊盘也是表贴焊盘，但由于其属于常接触点，采用ENIG表面处理方式。

理论上背面布局的二极管表贴焊盘采用OSP表面处理方式，那么背面除了两个表贴焊盘之外的区域要采用ENIG表面处理。实际制作的时候首先制作ENIG区域，用干膜保护好OSP区域，由于发光二极管的表贴焊盘和非金属化孔的间距不满足16mil，所以可能导致发光二极管的表贴焊盘部分区域有沉金现象。这是工艺禁止的，所以背面的发光二极管的表贴焊盘也要做ENIG表面处理。操作方法是在drill层添加说明。

图 6　表面处理特殊情况

2.3       双面开小窗孔设计

单板设计中GEN过孔是典型的双面开小窗孔，此类过孔设计在OSP+ENIG表面处理的单板设计中要谨慎使用，因为双面开小窗的孔若不加以特殊说明，其表面是需要做ENIG表面处理。若对双面开小窗的孔和SMD焊盘或其他OSP区域间距不加控制的情况下，设计很容易导致OSP和ENIG区域间距不足。

鉴于以上可能出现的问题，我们限定OSP+ENIG表面处理的单板设计中双面开小窗的孔仅限使用于单面漏铜区域。比如光口下方可能存在单面开窗的情况，或者多个开窗区域合并设计情况等。由于双面开小窗的孔需要做表面处理，设计的原则就是过孔的两面必须使用同一种表面处理方式。

如下图设计中，绿色和粉色分别对应背面和正面的阻焊开窗，由于开窗在光口连接器下方，默认采用ENIG表面处理。双面开小窗的过孔的正面就是ENIG表面处理方式，背面也必须是ENIG表面处理方式，所以下图设计OK，无需再做其他说明。

图 8　单面开大窗区域ENIG表面处理设计

只需在OSP_BOTTOM层，在这四个过孔的位置添加四块shape，大小可参考过孔的soldermask层。这样，这四个过孔的两面都采用OSP表面处理，如此设计也是OK的。

图 10　单面开大窗区域过孔OSP表面处理设计